參數(shù)資料
型號(hào)： F2201
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： MGrid Hdr Shrd Vt Slot/Stdf.38AuLF 20Ckt
中文描述： 專(zhuān)利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 32K
代理商： F2201
POUT VS PIN GRAPH
F2201S
F2C 1 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2C I DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F2C 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F2202S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.6A I(D)
F2202 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F220L Peripheral IC
F25A05G TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247
F25A05K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-Q
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參數(shù)描述
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F22010089 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
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F2202 制造商:POLYFET 制造商全稱(chēng):Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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