| 型號: | F2012 |
| 廠商: | Polyfet RF Devices |
| 英文描述: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述: | 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數: | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商: | F2012 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| F2013 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| F20-120 | 功能描述:電源變壓器 2.5VA 20V CT @ 0.12A Split Pack RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
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| F2012030050 AIB | 制造商:SAVIGNY 功能描述:HINGE PIANO STAINLESS STEEL 制造商:SAVIGNY 功能描述:HINGE, PIANO, STAINLESS STEEL |