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參數(shù)資料
| 型號： | F2002S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 1.6A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 70V的五（巴西）直| 1.6AI（四） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | F2002S |
POUT VS PIN GRAPH
F2002S
F2A 2 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2A 2 DIE IV CURVE
VDS IN VOLTS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
VGS 12V
F2A 2 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F2002 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F200R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | MODULE-S |
| F200R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | MODULE-S |
| F2031 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 800MA I(D) | FO-58VAR |
| F2043 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 6.4A I(D) | RFMOD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F2003 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F20032UEE01BAG | 制造商:C&K Components 功能描述:custom for rockwell |
| F2003ERW | 制造商:MPD 制造商全稱:MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters |
| F2004 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2004ERW | 制造商:MPD 制造商全稱:MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters |
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