參數(shù)資料
型號: F2000D
廠商: Osram Opto Semiconductors GmbH
英文描述: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
中文描述: 銦鎵鋁磷,高亮度,Lumineszenzdiode(617nm,大電流和流量),超高亮度四元素高亮度LED(617nm,電流和高通量)
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代理商: F2000D
F 2000D
InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux)
InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2003-04-15
1
Wesentliche Merkmale
Optimierte Lichtauskopplung durch
Oberflchenstrukturierung und Stromverteilung
Chipgre 700 x 700
μ
m
2
Wellenlnge (typ.) : 617 nm
Technologie:InGaAIP
Typ. Lichtflu: 20 lm @ 400 mA (gepulst, im
Golden Dragon
Gehuse).
Anwendungen
Ampeln
Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
Beleuchtung im Automobilbereich
(z.B. Instrumentenbeleuchtung, Bremslichter
und Blinklichter)
Ersatz von Kleinst-Glühlampen
Tragbare Beleuchtung
Fassadenbeleuchtung im Innen- und
Auenbereich
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Beschreibung
Description
F 2000D
Q65110A0981
Rot emittierender Chip mit optimierter Lichtauskopplung
durch Oberflchenstrukturierung, Oberseite Anodenan-
schluss
Red emitting chip with optimized light extraction due to sur-
face structuring, top side anode connection
Feature
Optimized light extraction due to surface
structuring and current distribution
Chip size 700 x 700
μ
m
2
Wavelength (typ.): 617 nm
Technology: InGaAIP
Typ. luminous flux: 20 lm @ 400 mA (pulsed, in
Golden Dragon
package)
Applications
Traffic lights
Backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising,general
lighting)
Automotive lighting (e.g. dashboard
backlighting, brake lights, turn signal lamps,
etc.)
Substitution of micro incandescent lamps
Portable light source
Indoor and outdoor commercial and residential
architectural lighting
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參數(shù)描述
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