參數(shù)資料
型號(hào): F1280
廠商: Polyfet RF Devices
英文描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述: 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商: F1280
F1280 POUT VS PIN F=175 MHZ; IDQ=2.4A;
VDS=12.5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
2
4
6
8
10
12
PIN IN WATTS
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
POUT
GAIN
Efficiency = 65%
POUT VS PIN GRAPH
F1280
F1C 6DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1C 6 DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1C 6 DICE ID & GM VS VG
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
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18
20
Gm
Id
GM
ID
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
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PDF描述
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參數(shù)描述
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