參數(shù)資料
型號(hào)： F1107
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
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代理商： F1107
F1107 POUT vs PIN IDQ=0.4A Freq=400 MHz Vds=28.0V
PIN IN WATTS
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
10
11
12
13
14
15
16
17
POUT
GAIN
POUT
GAIN
Efficiency = 55%
POUT VS PIN GRAPH
F1107
F1J 1 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1J 1 DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1J 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Id
Gm
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F1260 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1280 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F12C05 CAP CERAMIC 150PF 50V X7R 0201
F12C10 POWER RECTIFIERS(12A,50-200V)
F12C20 CAP CERAMIC 39PF 16V NP0 0201
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F1108 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1-10822APA-N0 制造商:POWER-SYSTEMS 制造商全稱:Power Systems GmbH+Co.KG 功能描述:TOUCH SCREEN
F1-10841APA-G0 制造商:POWER-SYSTEMS 制造商全稱:Power Systems GmbH+Co.KG 功能描述:TOUCH SCREEN
F11090153600060 制造商:CANTHERM 功能描述:
F1109045 功能描述:THERM NORM CLOSED 90 DEG C SWITC RoHS:是 類別:過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> 溫度調(diào)節(jié)器 系列:F11-E06 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:3150 電路:- 開(kāi)關(guān)溫度:- 封裝/外殼:圓柱形，帶安裝法蘭 安裝類型:底座安裝 其它名稱:3150 002302403150 00230240-ND
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