參數資料
型號： F1077
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： F1077
F1077 POUT VS PIN F=150 MHZ; IDQ=1.2A;
VDS=28.0V
40
60
80
100
120
140
160
180
0
5
10
15
20
25
PIN IN WATTS
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
POUT
GAIN
Efficiency = 60%
POUT VS PIN GRAPH
F1077
F1B 6 DICE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 6 DICE IV CURVE
Vds in Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 6 DIE GM & ID vs VG
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關PDF資料
PDF描述
F1081 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1107 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1260 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1280 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F12C05 CAP CERAMIC 150PF 50V X7R 0201
相關代理商/技術參數
參數描述
F-107Z 功能描述:電源變壓器 24VCT@2A 12V@4A LUG CONNECTION RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
F108 功能描述:烙鐵 CERAMIC FUNNEL/WES50 RoHS:否 制造商:Weller 產品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included
F10808RS02QA 制造商:C&K Components 功能描述:
F1081 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F10831_LR1-W 制造商:LEDIL 功能描述:LENS - Bulk
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