- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377110 > F1069 (Polyfet RF Devices) PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | F1069 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | F1069 |
POUT VS PIN GRAPH
F1069
F1B 1 DIE Capacitance vs Vds
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 1DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 1 DIE GM & ID vs VG
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1070 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1072 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1074 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1076 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1077 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F10691-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:202A111-8-0-CS8394 制造商:TE Connectivity 功能描述:202A111-8-0-CS8394 - Bulk |
| F10693-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:D-438-0105 - Bulk |
| F106BIB20FK | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:IGBT MODULE |
| F106R6A030SB | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:IGBT MODULE_600V_30A_FLOWPACK1 |
| F106R6A050SB | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:IGBT MODULE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。