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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F1066 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | F1066 |
F1066 POUT VS PIN F=400 MHZ; IDQ=1.6A;
VDS=28.0V
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PIN IN WATTS
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
POUT
GAIN
Efficiency = 55%
POUT VS PIN GRAPH
F1066
F1B 4DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 4DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 4 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| F1070 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1072 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1074 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1076 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| F10686-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:TMS-SCE-1/2-S1-9-CS7717 - Bulk |
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