| 型號: | F1060 |
| 廠商: | Polyfet RF Devices |
| 英文描述: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述: | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商: | F1060 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| F1063 | CONN RECEPT 150POS 1MM DUAL SMD |
| F1065 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1066 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1069 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1070 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F10-600 | 功能描述:電源變壓器 6.0VA 10V CT @ 0.6A Split Pack RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| F10-600-C2 | 制造商:Triad Magnetics 功能描述:Transformer, class 2/3, 6-pin, 6VA, 115V x 10VCT at 0.6A, 5V at 1.2A 制造商:Triad Magnetics 功能描述:Power Transformers 10VCT@.6A 5V@1.2A 6VA 6pin Class 2 |
| F10-600-C2-B | 制造商:Triad Magnetics 功能描述:XFRMR LAMINATED 6VA THRU HOLE |
| F1063 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F10630_LM1-D | 制造商:LEDIL 功能描述:LENS+HOLDER+TAPE FOR CREE MC-E - Cut Tape Product |