- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377110 > F1058 (Polyfet RF Devices) PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F1058 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | F1058 |
F1058 POUT vs PIN FREQ = 400 MHZ,
IDQ = 0.4A, VDS=28V
Pin in Watts
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
14
6
8
10
12
14
16
18
Pout
Gain
POUT VS PIN GRAPH
F1058
F1B 1 DIE Capacitance vs Vds
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 1DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 1 DIE GM & ID vs VG
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1060 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1063 | CONN RECEPT 150POS 1MM DUAL SMD |
| F1065 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1066 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1069 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F10581 | 制造商:LEDIL 功能描述: |
| F1-05811APA-G0 | 制造商:POWER-SYSTEMS 制造商全稱:Power Systems GmbH+Co.KG 功能描述:TOUCH SCREEN |
| F1059 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 8A I(D) | RFMOD |
| F105MS/1 BK032 | 制造商:Alpha Wire 功能描述:HEAT SHRINK TUBING 2:1 PVC BK 制造商:Alpha Wire 功能描述:ALPHA FLEX IRRAD.PVC,ASSORT SIZES 6in lenght |
| F105MS/1-BK032 | 制造商:Alpha Wire 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。