參數(shù)資料
型號： F1040
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： F1040
POUT VS PIN GRAPH
F1040
F1B 2 DICE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 2 DICE IV CURVE
Vds in Volts
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 2 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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F1042-1P 功能描述:D-Sub工具與硬件 9P DUSTCOVER RED RoHS:否 制造商:3M Electronic Solutions Division 產(chǎn)品:Accessories 類型:Strain Relief, 36 Position 用于:Wiremount D-Sub Connectors
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