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FW80200M733 SL58C

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  • FW80200M733 SL58C
    FW80200M733 SL58C

    FW80200M733 SL58C

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INTEL

  • BGA

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • FW80200M733 SL58C
    FW80200M733 SL58C

    FW80200M733 SL58C

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTEL

  • NULL

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • FW80200M733 SL58C
    FW80200M733 SL58C

    FW80200M733 SL58C

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯(lián)系人：林先生

    電話：15913992480

    地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 3

  • INTEL

  • BGA

  • 16+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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FW80200M733 SL58C 技術參數(shù)
  • FW80200M600SL677 功能描述:IC I/O PROCESSOR 600MHZ 241-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微處理器 系列:- 標準包裝:2 系列:MPC8xx 處理器類型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特點:- 速度:133MHz 電壓:3.3V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:357-BBGA 供應商設備封裝:357-PBGA（25x25） 包裝:托盤 FW80200M400SL676 功能描述:IC I/O PROCESSOR 400MHZ 241-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微處理器 系列:- 標準包裝:2 系列:MPC8xx 處理器類型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特點:- 速度:133MHz 電壓:3.3V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:357-BBGA 供應商設備封裝:357-PBGA（25x25） 包裝:托盤 FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW82439HXSU115 FW82439TXSL28T FW82443BXSL2VH FW906-TL-E FW907-TL-E FWA.1B.308.CLA FWA.1B.310.CLA FWA.MH.03C.XLZ FWA.SH.306.XLA FWA020005A-10A FWA020005A-10B FWA020005B-10A FWA020005B-10B FWA020009A-10A FWA020009A-10B FWA020009B-10A FWA020009B-10B FWA020012A-10A
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