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FW349-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • FW349-TL-E
    FW349-TL-E

    FW349-TL-E

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9800

  • SOP-8

  • 18+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
FW349-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 45V 5/4.5A 8-SOP
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • -
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
FW349-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用,MIL-R-5757/10,F(xiàn)W,CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT(2 C 型) 額定接觸(電流):2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱 導(dǎo)通電壓(最大值):13 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):2.3 VDC 工作時間:6ms 釋放時間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1109G06 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用,MIL-R-5757/10,F(xiàn)W,CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT(2 C 型) 額定接觸(電流):2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱 導(dǎo)通電壓(最大值):13.5 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):- 工作時間:5ms 釋放時間:5ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:675 歐姆 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW-35-01-F-D-350-350 FW-35-01-F-D-425-065 FW-35-01-F-D-425-075 FW-35-01-F-D-425-100 FW-35-01-F-D-570-146 FW-35-01-G-D-200-065 FW-35-01-G-D-200-075 FW-35-01-G-D-200-100 FW-35-01-G-D-250-065 FW-35-01-G-D-250-075 FW-35-01-G-D-250-100 FW-35-01-G-D-350-065 FW-35-01-G-D-350-075 FW-35-01-G-D-350-100 FW-35-01-G-D-350-350 FW-35-01-G-D-425-065 FW-35-01-G-D-425-075 FW-35-01-G-D-425-100
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