FW-50

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

FW-50-05-L-D-250-250-A-P-T
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
06+
-
百分百原裝正品，質(zhì)量保障價(jià)格及優(yōu)

FW-500B
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
QFP44
2011
-
假一罰十，百分百原裝正品

FW-50V10UF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NICHICON
5X11
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

FW-50-022+-F-D-250-080
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
聯(lián)系人：林
電話：13288088530
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓
2000
SAMTEC
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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FW-50 技術(shù)參數(shù)

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，F(xiàn)W，CII 包裝:散裝零件狀態(tài):在售繼電器類型:通用線圈類型:無鎖存線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型）額定接觸（電流）:2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱導(dǎo)通電壓（最大值）:13 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時(shí)間:6ms 釋放時(shí)間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝端子類型:焊接鉤觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW-50-01-F-D-250-090 FW-50-01-F-D-250-100 FW-50-01-F-D-350-065 FW-50-01-F-D-350-075 FW-50-01-F-D-350-100 FW-50-01-F-D-375-065 FW-50-01-F-D-425-065 FW-50-01-F-D-425-075 FW-50-01-F-D-425-100 FW-50-01-F-D-472-070 FW-50-01-F-D-540-075 FW-50-01-F-D-550-071-EP FW-50-01-F-D-609-143 FW-50-01-G-D-200-065 FW-50-01-G-D-200-075 FW-50-01-G-D-200-100 FW-50-01-G-D-250-065 FW-50-01-G-D-250-075