參數(shù)資料
型號： ES29BDS400DB-70TGI
廠商： 優(yōu)先(蘇州)半導體有限公司
英文描述： 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 37/51頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： ES29BDS400DB-70TGI
ES I
42
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
A<17:12>
OE#
WE#
RESET#
CE#
Vcc
Figure 29. Sector Unprotection timings (A9 High-Voltage Method)
tWPP2
0x00
tST
DQ
SA0
tOE
SA1
tOESP
tCSP
tST
tVIDR
A<0>
A<1>
A<6>
A<9>
VID
NOTE : It is recommended to verify for all sectors.
AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ES29BDS400E-90RWCI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400ET-90RTGI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FB-70RWCI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FT-70RWCI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES2BA 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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ES29BDS400DB-90RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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ES29BDS400E-12RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400E-90RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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