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參數(shù)資料
| 型號： | EPF10K200SFC484-1X |
| 廠商： | Altera |
| 文件頁數(shù)： | 6/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FLEX 10KS FPGA 200K 484-FBGA |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 標準包裝： | 60 |
| 系列： | FLEX-10KE® |
| LAB/CLB數(shù)： | 1248 |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 9984 |
| RAM 位總計： | 98304 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 369 |
| 門數(shù)： | 513000 |
| 電源電壓： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BGA |
| 供應商設(shè)備封裝： | 484-FBGA（23x23） |
| 其它名稱： | EPF10K200SFC4841X |
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Altera Corporation
13
FLEX 10KE Embedded Programmable Logic Devices Data Sheet
Figure 4. FLEX 10KE Device in Single-Port RAM Mode
Note:
(1)
EPF10K30E, EPF10K50E, and EPF10K50S devices have 88 EAB local interconnect channels; EPF10K100E,
EPF10K130E, EPF10K200E, and EPF10K200S devices have 104 EAB local interconnect channels.
EABs can be used to implement synchronous RAM, which is easier to use
than asynchronous RAM. A circuit using asynchronous RAM must
generate the RAM write enable signal, while ensuring that its data and
address signals meet setup and hold time specifications relative to the
write enable signal. In contrast, the EAB’s synchronous RAM generates its
own write enable signal and is self-timed with respect to the input or write
clock. A circuit using the EAB’s self-timed RAM must only meet the setup
and hold time specifications of the global clock.
Column Interconnect
EAB Local
Interconnect (1)
Dedicated Inputs
& Global Signals
DQ
RAM/ROM
256
× 16
512
× 8
1,024
× 4
2,048
× 2
Data In
Address
Write Enable
Data Out
4, 8, 16, 32
DQ
4
8, 4, 2, 1
8, 9, 10, 11
Row Interconnect
Dedicated
Clocks
2
4, 8
Chip-Wide
Reset
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參數(shù)描述 |
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