| 型號: | EPC1VLI20 |
| 英文描述: | Configuration EPROM |
| 中文描述: | 配置存儲器 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商: | EPC1VLI20 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| EPC1VPC8 | Configuration EPROM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EPC1VPC8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Configuration EPROM |
| EPC1VPI8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Configuration EPROM |
| EPC2 | 制造商:ALTERA 制造商全稱:Altera Corporation 功能描述:SRAM-Based LUT Devices |
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |