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參數(shù)資料
| 型號： | EP7309-CVZ |
| 廠商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/42頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM720T MCU 74MHZ 208-LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 36 |
| 系列： | EP7 |
| 核心處理器： | ARM7 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 74MHz |
| 連通性： | 編解碼器，DAI，EBI/EMI，IrDA，鍵盤，SPI/Microwire1，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | LCD，LED，MaverickKey，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 27 |
| 程序存儲器類型： | ROMless |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 208-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 598-1214 |
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12
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
DS507F2
EP7309
High-Performance, Low-Power System on Chip
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Absolute Maximum Ratings
Recommended Operating Conditions
DC Characteristics
All characteristics are specified at VDDCORE = 2.5 V, VDDIO = 3.3 V and VSS = 0 V over an operating temperature of 0°C to +70°C
for all frequencies of operation. The current consumption figures have test conditions specified per parameter.”
DC Core, PLL, and RTC Supply Voltage
2.9 V
DC I/O Supply Voltage (Pad Ring)
3.6 V
DC Pad Input Current
10 mA/pin; 100 mA cumulative
Storage Temperature, No Power
–40
C to +125C
DC core, PLL, and RTC Supply Voltage
2.5 V
0.2 V
DC I/O Supply Voltage (Pad Ring)
2.3 V - 3.5 V
DC Input / Output Voltage
O–I/O supply voltage
Operating Temperature
Extended -20
C to +70C; Commercial 0C to +70C;
Industrial -40
C to +85C
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Conditions
VIH
CMOS input high voltage
0.65
V
DDIO
-
VDDIO + 0.3
V
VDDIO = 2.5 V
VIL
CMOS input low voltage
VSS 0.3
-
0.25
V
DDIO
V
VDDIO = 2.5 V
VT+
Schmitt trigger positive going
threshold
--
2.1
V
VT-
Schmitt trigger negative going
threshold
0.8
-
V
Vhst
Schmitt trigger hysteresis
0.1
-
0.4
V
VIL to VIH
VOH
CMOS output high voltagea
Output drive 1a
Output drive 2a
VDD – 0.2
2.5
-
V
IOH = 0.1 mA
IOH = 4 mA
IOH = 12 mA
VOL
CMOS output low voltagea
Output drive 1a
Output drive 2a
-
0.3
0.5
V
IOL = –0.1 mA
IOL = –4 mA
IOL = –12 mA
IIN
Input leakage current
-
1.0
A
VIN = VDD or GND
IOZ
Bidirectional 3-state leakage
currentb c
25
-
100
A
VOUT = VDD or GND
CIN
Input capacitance
8
-
10.0
pF
COUT
Output capacitance
8
-
10.0
pF
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