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參數(shù)資料
| 型號： | EP4CE115F23C8 |
| 廠商： | Altera |
| 文件頁數(shù)： | 42/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC CYCLONE IV FPGA 115K 484-FBGA |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview |
| 特色產(chǎn)品： | Cyclone? IV FPGAs |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 60 |
| 系列： | CYCLONE® IV E |
| LAB/CLB數(shù)： | 7155 |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 114480 |
| RAM 位總計： | 3981312 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 280 |
| 電源電壓： | 1.15 V ~ 1.25 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 484-FBGA（23x23） |
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Chapter 1: Cyclone IV Device Datasheet
1–9
Operating Conditions
December 2013
Altera Corporation
The OCT resistance may vary with the variation of temperature and voltage after
calibration at device power-up. Use Table 1–10 and Equation 1–1 to determine the
final OCT resistance considering the variations after calibration at device power-up.
Table 1–10 lists the change percentage of the OCT resistance with voltage and
temperature.
Table 1–10. OCT Variation After Calibration at Device Power
-Up for Cyclone IV Devices
Nominal Voltage
dR/dT (%/°C)
dR/dV (%/mV)
3.0
0.262
–0.026
2.5
0.234
–0.039
1.8
0.219
–0.086
1.5
0.199
–0.136
1.2
0.161
–0.288
R
V = (V2 – V1) × 1000 × dR/dV –––––
R
T = (T2 – T1) × dR/dT –––––
For
R
x < 0; MFx = 1/ (|Rx|/100 + 1) –––––
Notes to Equation 1–1:
(1) T2 is the final temperature.
(2) T1 is the initial temperature.
(3) MF is multiplication factor.
(4) Rfinal is final resistance.
(5) Rinitial is initial resistance.
(6) Subscript x refers to both V and T.
(7)
R
V is a variation of resistance with voltage.
(8)
R
T is a variation of resistance with temperature.
(9) dR/dT is the change percentage of resistance with temperature after calibration at device power
-up.
(10) dR/dV is the change percentage of resistance with voltage after calibration at device power
-up.
(11) V2 is final voltage.
(12) V1 is the initial voltage.
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