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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EN29F040-55TI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8位）閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 223K |
| 代理商： | EN29F040-55TI |
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Santa Clara, CA 95054
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Fax: 408-235-8685
21
EN29F040
Rev. D, Issue Date: 2001/07/05
Table 7.
DC Characteristics
(T
a
= 0°C to 70°C or - 40°C to 85°C; V
CC
= 5.0V ± 10%)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Unit
I
LI
I
LO
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
Vcc
0V
≤
V
OUT
≤
Vcc
±5
μA
Output Leakage Current
±5
μA
I
CC1
Supply Current (read) TTL Byte
CE
= V
IL
;
OE
= V
IH
;
f = 6MHz
30
mA
I
CC2
I
CC3
Supply Current (Standby) TTL
CE
= V
IH
CE
= Vcc ± 0.3V
Byte program, Sector or Chip
Erase in progress
1.0
MA
Supply Current (Standby) CMOS
5.0
μA
I
CC4
Supply Current (Program or Erase)
30
mA
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
0.8
Vcc +
0.5
0.45
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
V
OL
V
OH
Output Low Voltage
I
OL
= 2 mA
I
OH
= -2.5 mA
V
Output High Voltage TTL
2.4
Vcc -
0.4V
10.5
V
Output High Voltage CMOS
I
OH
= -100 μA
V
V
ID
I
LIT
A9 Voltage (Electronic Signature)
11.5
V
A9 Current (Electronic Signature)
Supply voltage (Erase and
Program lock-out)
A9 = V
ID
100
μA
V
LKO
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EN29F040-70J | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70JI | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70P | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70PI | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70T | 4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EN29F040-70J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70PI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
| EN29F040-70T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory |
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