| 型號(hào): | EMX1DXV6T1 |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor(雙NPN通用放大器晶體管) |
| 中文描述: | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商: | EMX1DXV6T1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMX1DXV6T5 | Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor(雙NPN通用放大器晶體管) |
| EMZ1DXV6T1 | Dual General Purpose Transistors |
| EMZ1DXV6T5 | Dual General Purpose Transistors |
| EN241D-14A | Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
| EN271D-14A | Pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 686-0023-1 00; No. of Positions: 40; Connector Type: Wire; Contact Gender: Female; Contact Spacing (mm): 1; Terminal Pitch (mm): 1; Current Rating(Amps)(Max.): 1; Operating Temperature Range (degrees C): -35 to 85; General Description: Housing; Double row; Crimping |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EMX1DXV6T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Dual NPN General Purpose Amplier Transistor |
| EMX1DXV6T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EMX1DXV6T5 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EMX1DXV6T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EMX1T2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |