參數(shù)資料
型號(hào)： EMF22
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 66K
代理商： EMF22
EMF22 / UMF22N
Transistors
2/4
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
1 Single pulse P
W
=1ms
2 120mW per element must not be exceeded.
Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
500
1.0
150(TOTAL)
150
55~
+
150
1
2
Unit
V
V
V
mA
A
mW
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DTr2
Parameter
1 Characteristics of built-in transistor.
2 120mW per element must not be exceeded.
Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
V
CC
V
IN
I
C
I
O
P
C
Tj
Tstg
Limits
50
10~
+
40
100
50
150(TOTAL)
150
55~
+
150
1
2
Unit
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Supply voltage
Input voltage
Collector current
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
12
15
6
270
Typ.
90
Max.
100
100
250
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
Transition frequency
Collector output capacitance
f
T
320
7.5
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
10mA, f
=
100MHz
I
C
=
1mA
I
C
=
10
μ
A
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
200mA, I
B
=
10mA
V
CE
=
2V, I
C
=
10mA
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Cob
DTr2
Parameter
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
Min.
3
30
Typ.
0.1
Max.
0.5
0.3
0.88
0.5
Unit
Conditions
f
T
10
1
250
13
1.2
7
MHz
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
V
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
10mA
I
O
/I
I
=
10mA/0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
V
O
=
5V, I
O
=
5mA
V
mA
μ
A
R
1
k
R
2
/R
1
0.8
Transition frequency
Transition frequency of the device
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
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PDF描述
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參數(shù)描述
EMF22T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF23 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
EMF23T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF23XV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF23XV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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