參數(shù)資料
型號： EMF20
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power mamage,emt (dual transistors)
中文描述： 電力mamage中，EMT（雙晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： EMF20
EMF20/UMF20N
Transistors
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
Limits
Unit
2/4
V
CBO
60
V
50
V
V
V
CEO
V
EBO
7
I
C
mA
mW
150
Tj
150
Tstg
55 to
+
150
P
C
150 (TOTAL)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
120mW per element must not be exceeded.
DTr2
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Collector current
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Power dissipation
C
C
1 Characteristics of built-in transistor.
2 120mW per element must not be exceeded.
Each terminal mounted on a recommended land.
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
V
CC
V
IN
I
C
I
O
P
C
Tj
Tstg
Limits
50
10~
+
40
100
30
150(TOTAL)
150
55 to
+
150
1
2
Unit
V
V
mA
mA
mW
C
C
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
Cob
Min.
60
50
7
180
2
0.1
0.1
390
0.4
3.5
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
60V
V
EB
=7
V
V
CE
=
6V, I
C
=
1mA
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
V
μ
A
μ
A
V
PF
Typ. Max. Unit
Conditions
f
T
180
V
CE
=
12V, I
E
=
2mA, f
=
100MHz
V
CB
=
12V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Transition frequency
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
DTr2
Parameter
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
Min.
3.0
20
Typ.
100
Max.
0.5
300
180
500
Unit
V
V
mV
μ
A
nA
Conditions
Transition frequency
Input resistance
Resistance ratio
f
T
R
1
250
47
1.0
MHz
k
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
Characteristics of built-in transistor.
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
2mA
V
O
=
10mA, I
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
V
O
=
5V, I
O
=
5mA
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
32.9
0.8
61.1
1.2
R
2
/R
1
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參數(shù)描述
EMF20T2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN/DTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMF21 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
EMF21-7 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 300mW -12Vceo RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF21T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF22 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
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