FIGURE 19. SUPPLY CURRENT(PER AMPLIFIER) vs SUPPLY VOLTAGE FIGURE 20. PACKAG" />
參數(shù)資料
型號(hào): EL9211IYEZ-T7
廠(chǎng)商: Intersil
文件頁(yè)數(shù): 8/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: IC AMP 1CH 100MHZ 100MA 8-HMSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,500
放大器類(lèi)型: 電壓反饋
電路數(shù): 1
轉(zhuǎn)換速率: 115 V/µs
增益帶寬積: 63MHz
-3db帶寬: 130MHz
電流 - 輸入偏壓: 1.4µA
電壓 - 輸入偏移: 1000µV
電流 - 電源: 2.3mA
電流 - 輸出 / 通道: 300mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 5 V ~ 13.5 V,±2.5 V ~ 6.75 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-HMSOP
包裝: 帶卷 (TR)
6
FN7007.1
August 10, 2007
FIGURE 19. SUPPLY CURRENT(PER AMPLIFIER) vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 20.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 23.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
VS (±V)
I S
(mA)
±IS
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.5
0.45
0.3
0.2
0.15
0.1
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA=230°C/W
SOT23-5/6
0.4
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.45
0.4
0.25
0.15
0.1
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
391mW
θ
JA = +256°C/W
SOT23-5/6
0.35
0.2
0.3
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD -
HTSSOP EXPOSED DIEPAD SOLDERED
TO PCB PER JESD51-5
3.5
3
2.5
1.5
1
0.5
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
2
2.632W
θJA = +38°C/W
HTSSOP14
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
1
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
AT
ION
(W)
85
0.8
0.5
0.7
125
694mW
θJA = +144°C/W
HTSSOP14
EL9211, EL9212, EL9214
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