FIGURE 23. GAIN vs FREQUENCY FOR VARIOUS CL FIGURE 24. GAIN vs " />
參數(shù)資料
型號： EL5100IS
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 15/15頁
文件大小： 0K
描述： IC OP AMP HS V-FEEDBACK 8-SOIC
標準包裝： 97
放大器類型： 電壓反饋
電路數(shù)： 1
轉換速率： 2200 V/µs
-3db帶寬： 200MHz
電流 - 輸入偏壓： 2µA
電壓 - 輸入偏移： 1000µV
電流 - 電源： 2.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 100mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 3.3 V ~ 12 V，±1.65 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
9
FN7330.3
May 3, 2007
FIGURE 23. GAIN vs FREQUENCY FOR VARIOUS CL
FIGURE 24. GAIN vs FREQUENCY FOR VARIOUS CL
FIGURE 25. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 26. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
NORM
ALIZE
D
GAIN
(dB)
4
2
0
-2
-4
5
3
1
-1
-3
100K
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
100M
-5
AV=+5
RF=383Ω
RL=150Ω
72pF
50pF
38pF
2.2pF
20pF
NORM
ALIZE
D
GAIN
(dB)
4
2
0
-2
-4
5
3
1
-1
-3
100K
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
100M
-5
AV=+2
RF=383Ω
RL=150Ω
CIN=0pF
50pF
44pF
38pF
26pF
7.8pF
2.2pF
1.8
0.8
0
1.6
0.4
1.2
0.2
0.6
1.4
1
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(
W
)
25
125
150
75
100
50
85
543mW
1.136W
SO
8
θ
JA =1
10°
C/W
SOT23
-5/6
θ
JA
=230°C
/W
1.116W
θ
JA=112°C/W
QSOP16
0
1.2
0.6
0
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
25
125
150
75
1
0.4
0.8
0.2
100
50
85
488mW
781mW
SOT2
3-5/6
θ
JA=256
°C/W
791mW
θ
JA =1
58°
C/W
QS
OP
16
SO8
θ
JA=160°C/W
EL5100, EL5101, EL5300
相關PDF資料
PDF描述
RT0402DRE0749R9L RES 49.9 OHM 1/16W .5% 0402 SMD
RGH2012-2E-P-111-B RES 110 OHM .1% 1/4W 0805 SMD
MMB25-0441H1 CONN RACK/PANEL 44POS 5A
966218-6702-AR CONN SOCKET DL ENTRY 18POS GOLD
V2F114C300Y1FDP VARISTOR CAP FEEDTHRU 14V 0805
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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EL5100IS-T7 功能描述:IC OP AMP HS V-FEEDBACK 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 放大器類型:電壓反饋 電路數(shù):4 輸出類型:滿擺幅 轉換速率:33 V/µs 增益帶寬積:20MHz -3db帶寬:30MHz 電流 - 輸入偏壓:2nA 電壓 - 輸入偏移:3000µV 電流 - 電源:2.5mA 電流 - 輸出 / 通道:30mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:14-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
EL5100ISZ 功能描述:高速運算放大器 EL5100ISZ SINGLE 350 MHZ SEVFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5100ISZ-T13 功能描述:高速運算放大器 EL5100ISZ SINGLE 350 MHZ SEVFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5100ISZ-T7 功能描述:高速運算放大器 EL5100ISZ SINGLE 350 MHZ SEVFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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