VN Voltage Noise Spectral Density 10kHz 0.83 nV/ √Hz I
參數(shù)資料
型號: EL2125CSZ
廠商: Intersil
文件頁數(shù): 10/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC AMP WIDEBAND LN LP 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 97
放大器類型: 電壓反饋
電路數(shù): 1
轉(zhuǎn)換速率: 185 V/µs
-3db帶寬: 220MHz
電流 - 輸入偏壓: 22µA
電壓 - 輸入偏移: 600µV
電流 - 電源: 10.8mA
電流 - 輸出 / 通道: 250mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V
工作溫度: -45°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOIC
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1233 (CN2011-ZH PDF)
3
FN7045.3
May 4, 2007
VN
Voltage Noise Spectral Density
10kHz
0.83
nV/
√Hz
IN
Current Noise Spectral Density
10kHz
2.4
pA/
√Hz
HD2
2nd Harmonic Distortion (Note 3)
-74
dBc
HD3
3rd Harmonic Distortion
-91
dBc
NOTES:
1. Measured by moving the supplies from ±4V to ±6V
2. Pulse test only
3. Frequency = 1MHz, VOUT = 2VP-P, into 500Ω and 5pF load
Electrical Specifications
VS = ±5V, TA = +25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω unless otherwise specified. (Continued)
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Electrical Specifications
VS = ±15V, TA = +25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DC PERFORMANCE
VOS
Input Offset Voltage (SO8)
0.6
3
mV
Input Offset Voltage (SOT23-5)
3mV
TCVOS
Offset Voltage Temperature Coefficient
4.9
V/°C
IB
Input Bias Current
-30
-24
A
IOS
Input Bias Current Offset
0.4
2
A
TCIB
Input Bias Current Temperature
Coefficient
0.08
A/°C
CIN
Input Capacitance
2.2
pF
AVOL
Open Loop Gain
80
87
dB
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
(Note 4)
80
97
dB
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
at CMIR
75
105
dB
CMIR
Common Mode Input Range
-14.6
13.8
V
VOUTH
Output Voltage Swing High
No load, RF = 1kΩ
13.35
13.5
V
VOUTL
Output Voltage Swing Low
No load, RF = 1kΩ
-13.6
-13
V
VOUTH2
Output Voltage Swing High
RL = 100Ω
11
11.6
V
VOUTL2
Output Voltage Swing Low
RL = 100Ω
-10.4
-9.8
V
IOUT
Output Short Circuit Current (Note 5)
120
250
mA
IS
Supply Current
10.8
12
mA
AC PERFORMANCE - RG = 20Ω, CL = 5pF
BW
-3dB Bandwidth
220
MHz
BW ±0.1dB
±0.1dB Bandwidth
23
MHz
BW ±1dB
±1dB Bandwidth
63
MHz
Peaking
2.5
dB
SR
Slew Rate
VOUT = 2VP-P, measured at 20% to 80%
180
225
V/s
OS
Overshoot, 4VP-P Output Square Wave
0.6
%
tS
Settling Time to 0.1% of ±1V Pulse
38
ns
EL2125
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P4KE550-E3/54 TVS 300W 550V MIN UNIDIR AXIAL
P4KE540A-E3/54 TVS 400W 540V 5% UNIDIR AXIAL
RC0805FR-07130RL RES 130 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
P4KE530-E3/54 TVS 300W 530V MIN UNIDIR AXIAL
FI-J40S-VF15T CONN RECEPT 0.4MM 40POS SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EL2125CSZ-T13 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL2125CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL2125CSZ-T7 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL2125CSZ LW NOISE CVR A=11 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL2125CW 制造商:ELANTEC 制造商全稱:ELANTEC 功能描述:Ultra-low Noise, Low Power, Wideband Amplifier
EL2125CW-T13 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier. Other
EL2125CW-T7 功能描述:IC AMP ULT LO NOISE/PWR SOT23-5 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:0.6 V/µs 增益帶寬積:1MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:2pA 電壓 - 輸入偏移:1000µV 電流 - 電源:85µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):1.8 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-SOICN 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁面:680 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MCP6L04T-E/SLCT