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參數(shù)資料
| 型號： | EGL41D-E3/51 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GL41, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | EGL41D-E3/51 |
Document Number 88581
26-Jun-06
www.vishay.com
3
BYM12-50 thru BYM12-400, EGL41A thru EGL41G
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
0
0
1.0
75
50
Lead Temperat
u
re (°C)
100
125
150
175
0.5
Resisti
v
e or Ind
u
cti
v
e Load
A
v
e
w
a
u
r
0
5.0
10
15
20
25
30
1
100
10
T
j
= T
j
max.
8
.3 ms Single Half Sine-
W
a
v
e
Nu
m
b
er of Cycles at 60 Hz
P
w
a
u
r
u
r
0.4
0.2
0.6
0.
8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
10
1
50
1.
8
EGL41A - EGL41D
EGL41F - EGL41G
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
P
u
lse
W
idth = 300
μ
s
1
%
D
u
ty Cycle
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
I
u
s
w
a
u
r
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
60
40
20
0
100
8
0
0.01
0.1
10
1
100
1000
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
Percent of Rated Peak Re
v
erse
V
oltage (
%
)
I
u
s
v
e
C
u
r
μ
A
Re
v
erse
V
oltage (
V
)
J
u
n
0.1
10
1
100
20
10
30
40
50
60
70
0
EGL41A - EGL41D
EGL41F - EGL41G
T
j
= 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig
= 50 m
V
p-p
0.01
0.1
10
1
100
100
10
1
0.1
t - P
u
lse D
u
ration (s)
T
W
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EGP20B-E3/73 | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| EGP30D/23 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| EGP30D-E3/54 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| EGP30J | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| EH06001-DAW-DF | 120 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SOLDER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EGL41DHE3/75 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| EGL41DHE3/76 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| EGL41DHE3/96 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| EGL41DHE3/97 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| EGL41E | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
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