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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS2516APTA-TI |
| 廠(chǎng)商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| 中文描述： | 256M比特內(nèi)存水樹(shù)（寬溫度范圍） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | EDS2516APTA-TI |
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EDS2516CDTA
Read Cycle/Write Cycle
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
43
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1 b"+2 b"+3
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
UDQM, LDQM
UDQM, LDQM
DQ (output)
DQ (input)
CLK
BS
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1b"+2 b"+3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
DQ (input)
DQ (output)
BS
High-Z
High-Z
VIH
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
Write cycle
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
VIH
Read/Single Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
a
a
a
a
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Bank 0
R:b
Bank 3
Active
C:a
Bank 0
a
a+1 a+2 a+3
Bank 0
Bank 0
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
UDQM, LDQM
DQ (input)
DQ (output)
CLK
BS
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM, LDQM
C:b
b
c
a+1
a+3
a+1 a+2 a+3
C:c
VIH
VIH
Read/Single write
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
DQ (input)
DQ (output)
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PDF描述 |
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