參數(shù)資料
型號： EDS2516APSA-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M bits SDRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
封裝： MICRO, BGA-60
文件頁數(shù)： 6/50頁
文件大?。?/td> 703K
代理商： EDS2516APSA-75
EDS2516CDTA
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
min.
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
6
max.
Unit
Test condition
Notes
Input leakage current
ILI
–1
1
μA
0
≤
VIN
≤
VDD
Output leakage current
ILO
–1.5
1.5
μA
0
≤
VOUT
≤
VDD, DQ = disable
Output high voltage
VOH
2.0
—
V
IOH = –2 mA
Output low voltage
VOL
—
0.4
V
IOL = 2 mA
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)
Parameter
Symbol
Pins
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Input capacitance
CI1
CLK
2.5
—
3.5
pF
1, 2, 4
CI2
Address, CKE, /CS,
/RAS, /CAS, /WE,
DQM
2.5
—
3.8
pF
1, 2, 4
Data input/output
capacitance
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.2V bias, 200mV swing.
3. DQM = VIH to disable DOUT.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
CI/O
DQ
4
—
6.5
pF
1, 2, 3, 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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