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參數(shù)資料
| 型號： | EDS1232AABB-60-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M bits SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 45/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS1232AABB-60-E |
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EDS1232CABB, EDS1232CATA
Preliminary Data Sheet E0247E40 (Ver. 4.0)
45
Write Cycle
CLK
CKE
/CS
tRAS
tRCD
/RAS
/CAS
/WE
BS
A10
Address
DQ (input)
DQ (output)
tCH t
tCK
tHI
tHI
CL
tHI
tHI
tSI
tSI
tSI
tSI
tRP
tRC
tDPL
Bank 0
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
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tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tHI
tSI
tSI
Bank 0
Bank 0
VIH
CL = 2
BL = 4
Bank 0 access
= VIH or VIL
DQM
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
b
b+3
b’
b’+1
b’+2
b’+3
lMRD
valid
C: b’
code
lRCD
lRP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
VIL
l
RCD
= 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS1232CASE | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232AABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-60L-E | 128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-75-E | 128M bits SDRAM |
| EDS1232AASE | 26481083 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS1232AABB-60L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX32|CMOS|BGA|90PIN|PLASTIC |
| EDS1232AABB-60L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX32|CMOS|BGA|90PIN|PLASTIC |
| EDS1232AABB-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-75L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX32|CMOS|BGA|90PIN|PLASTIC |
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