參數(shù)資料
型號(hào)： EDI9F416512C
英文描述： 4x512Kx16 Static RAM CMOS, Module(4x512Kx16 CMOS靜態(tài)RAM模塊)
中文描述： 4x512Kx16靜態(tài)RAM的CMOS模塊（4x512Kx16的CMOS靜態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： EDI9F416512C
EDI9F416512C
4x512Kx16 SRAM Module
1
EDI9F416512C Rev. 1 4/97 ECO #8358
Features
4x512Kx16 bit CMOS Static
Random Access Memory
Access Times 70 thru 100ns
Data Retention Function (EDI9F416512LP )
TTL Compatible Inputs and Outputs
Fully Static, No Clocks
High Density Packaging
80 Pin SIMM, No. 372
Single +5V (
±10%) Supply Operation
4x512Kx16 Static RAM
CMOS, Module
The EDI9F416512C is a 32Megabit CMOS Static RAM
based on eight 512Kx8 Static RAMs mounted on a multi-
layered epoxy laminate (FR-4) substrate.
A low power version with data retention (EDI9F416512LP)
is also available.
All inputs and outputs are TTL compatible and operate from
asingle+5Vsupply. Fullyasynchronous,theEDI9F416512C
requires no clocks or refreshing for operation.
Pin Configurations and Block Diagram
A-A18
Address Inputs
E-E3
Chip Enable
G
Output Enables
WH-WL
Write Enables
DQ-DQ15
Data Input/Output
VCC
Supply 5 Volts
VSS
Ground
NC
No Connect
Electronic Designs Incorporated
One Research Drive Westborough, MA 01581 USA 508-366-5151 FAX 508-836-4850
Electronic Designs Europe Ltd. Shelley House, The Avenue Lightwater, Surrey GU18 5RF
United Kingdom 01276 472637 FAX: 01276 473748
http://www.electronic-designs.com
VSS
VCC
NC
G\
WH
WL
NC
E3
E2
E1
EO
VSS
NC
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
1
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35
36
37
38
39
40
Module Pinout
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A6
A3
A2
A1
A
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ
NC
VCC
NC
VSS
NC
VSS
NC
VSS
40
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53
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80
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
A-A18
G
WH
WL
E
E1
E2
E3
DQ-DQ7
DQ8-DQ15
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
DQ
E
A
G
W
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