參數(shù)資料
型號: EDI88128C-100
英文描述: 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS,128Kx8單片靜態(tài)RAM(存取時間100ns))
中文描述: 128Kx8單片的SRAM(的CMOS 128Kx8單片靜態(tài)隨機存儲器(存取時間100ns的))
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 152K
代理商: EDI88128C-100
4
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88128C
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = 0
°C to +70°C)
Symbol
70ns
85ns
100ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
tAVAV
tWC
70
85
100
ns
Chip Select to End of Write
tELWH
tCW
60
75
85
ns
tELEH
tCW
60
75
85
ns
tSHWH
tCW
60
75
85
ns
tSHSL
tCW
60
75
85
ns
Address Setup Time
tAVWL
tAS
00
0
ns
tAVEL
tAS
00
0
ns
tAVSH
tAS
00
0
ns
Address Valid to End of Write
tAVWH
tAW
60
75
85
ns
Write Pulse Width
tWLWH
tWP
35
70
80
ns
tWLEH
tWP
35
70
80
ns
tWLSL
tWP
35
70
80
ns
Write Recovery Time
tWHAX
tWR
55
5
ns
tEHAX
tWR
55
5
ns
tSLAX
tWR
55
5
ns
Data Hold Time
tWHDX
tDH
00
0
ns
tEHDX
tDH
00
0
ns
tSLDX
tDH
00
0
ns
Write to Output in High Z (1)
tWLQZ
tWHZ
030
0
35
0
40
ns
Data to Write Time
tDVWH
tDW
35
40
ns
tDVEH
tDW
35
40
ns
tDVSL
tDW
35
40
ns
Output Active from End of Write (1)
tWHQX
tWLZ
55
5
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDI88128C-70 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS,128Kx8單片靜態(tài)RAM(存取時間70ns))
EDI88128C-85 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS,128Kx8單片靜態(tài)RAM(存取時間85ns))
EDI88128CS 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS,128Kx8單片靜態(tài)RAM)
EDI88128LP85ZI 700MHz Slew Enhanced VFA; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 10-MSOP T&R
EDI88128LP85ZM 700MHz Slew Enhanced VFA; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 10-MSOP T&R
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參數(shù)描述
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