參數(shù)資料
型號(hào)： EDE5108GBSA-4A-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits DDR-II SDRAM
中文描述： 64M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA64
封裝： MICRO, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 58/66頁(yè)
文件大小： 697K
代理商： EDE5108GBSA-4A-E
EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
58
Write with Auto Precharge to Power-Down Entry
CK
/CK
WL
WR*1
WR*1
CK
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
Command
CKE
DQS
/DQS
DQ
/CK
BL=4
BL=8
WRITA
PRE
WRITA
in
0
in
1
in
2
in
3
PRE
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
Note: 1. WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
in
0
in
1
in
2
in
3
in
4
in
5
in
6
in
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDE5104GBSA-5A-E RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80%
EDE5108GBSA-5A-E INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC
EDE5104GBSA 512M bits DDR-II SDRAM
EDE5108ABSE 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108AESK 512M bits DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDE5108GBSA-5A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM
EDE5116ABSE 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116ABSE-4A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116ABSE-5C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AFSE 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
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