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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5104GBSA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR-II SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特的DDR - II內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5104GBSA |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
33
ODT(On Die Termination)
On Die Termination (ODT), is a feature that allows a DRAM to turn on/off termination resistance for each DQ, DQS,
/DQS, RDQS, /RDQS, and DM signal for
×
4
×
8 configurations via the ODT control pin. For
×
16 configuration ODT
is applied to each DQ, UDQS, /UDQS, LDQS, /LDQS, UDM, and LDM signal via the ODT control pin. The ODT
feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM controller to
independently turn on/off termination resistance for any or all DRAM devices.
The ODT function is turned off and not supported in self-refresh mode.
Switch sw1 or sw2 is enabled by ODT pin.
Selection between sw1 or sw2 is determined by Rtt (nominal) in EMRS
Termination included on all DQs, DM, DQS, /DQS, RDQS and /RDQS pins.
Target Rtt (
) = (Rval1) / 2 or (Rval2) / 2
DRAM
input
buffer
VDDQ
VSSQ
sw1
sw1
sw2
Rval1
Rval1
Input
Pin
VDDQ
VSSQ
sw2
Rval2
Rval2
Functional Representation of ODT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5108ABSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AESK | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104AESK | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104AESK-4A-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5104GBSA-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104GBSA-5A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5108ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108ABSE-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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