參數(shù)資料
型號(hào)： EC103D175
英文描述： Thyristor Product Catalog
中文描述： 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁(yè)數(shù)： 212/224頁(yè)
文件大?。?/td> 2697K
代理商： EC103D175
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http://www.teccor.com
E9 - 2
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Sidac
Data Sheets
Specific Test Conditions
di/dt — Critical rate-of-rise of on-state current
dv/dt — Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated VDRM;
TJ ≤ 100 °C
IBO — Breakover current 50/60 Hz sine wave
IDRM — Repetitive peak off-state current 50/60 Hz sine wave; V = VDRM
IH — Dynamic holding current 50/60 Hz sine wave; R = 100
IT(RMS) — On-state RMS current TJ ≤ 125 °C 50/60 Hz sine wave
ITSM — Peak one-cycle surge current 50/60 Hz sine wave (non-
repetitive)
RS — Switching resistance
50/60 Hz sine wave
VBO — Breakover voltage 50/60 Hz sine wave
VDRM — Repetitive peak off-state voltage
VTM — Peak on-state voltage; IT = 1 A
General Notes
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an
ambient temperature of +25 °C unless otherwise specified.
Storage temperature range (TS) is -65 °C to +150 °C.
The case (TC) or lead (TL) temperature is measured as shown on
the dimensional outline drawings in the “Package Dimensions” sec-
tion of this catalog.
Junction temperature range (TJ) is -40 °C to +125 °C.
Lead solder temperature is a maximum of +230 °C for 10-second
maximum;
≥1/16" (1.59 mm) from case.
Electrical Specification Notes
(1) See Figure E9.5 for VBO change versus junction temperature.
(2) See Figure E9.6 for IBO versus junction temperature.
(3) See Figure E9.2 for IH versus case temperature.
(4) See Figure E9.13 for test circuit.
(5) See Figure E9.1 for more than one full cycle rating.
(6) TC ≤ 90 °C for TO-92 Sidac
TC ≤ 105 °C for TO-202 Sidacs
TL ≤ 100 °C for DO-15X
TL ≤ 90 °C for DO-214
(7) See Figure E9.14 for clarification of sidac operation.
(8) For best sidac operation, the load impedance should be near or
less than switching resistance.
(9) See package outlines for lead form configurations. When ordering
special lead forming, add type number as suffix to part number.
(10) Do not use electrically connected mounting tab or center lead.
V-I Characteristics
Type
Part No.
IT(RMS)
VDRM
VBO
IDRM
IBO
IH
TO-92
DO-15X
(10)
TO-202
DO-214
(7) (8)
Amps
Volts
(1)
Volts
Amps
(2)
Amps
(3) (4)
mAmps
See “Package Dimensions” section for variations. (9)
MAX
MIN
MAX
TYP
MAX
K0900E70
K0900G
K0900S
1
±70
79
97
5
10
60
150
K1050E70
K1050G
K1050S
1
±90
95
113
5
10
60
150
K1100E70
K1100G
K1100S
1
±90
104
118
5
10
60
150
K1200E70
K1200G
K1200S
1
±90
110
125
5
10
60
150
K1300E70
K1300G
K1300S
1
±90
120
138
5
10
60
150
K1400E70
K1400G
K1400S
1
±90
130
146
5
10
60
150
K1500E70
K1500G
K1500S
1
±90
140
170
5
10
60
150
K2000E70
K2000G
K2000F1
K2000S
1
±180
190
215
5
10
60
150
K2200E70
K2200G
K2200F1
K2200S
1
±180
205
230
5
10
60
150
K2400E70
K2400G
K2400F1
K2400S
1
±190
220
250
5
10
60
150
K2500E70
K2500G
K2500F1
K2500S
1
±200
240
280
5
10
60
150
K3000F1
1
±200
270
330
5
10
60
150
RS
VBO VS
–
()
IS IBO
–
()
--------------------------------
=
-V
+I
VDRM
+V
VS
IS
IH
RS
IDRM
IBO
VBO
VT
IT
(IS - IBO)
(VBO - VS)
RS =
-I
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
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EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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