參數(shù)資料
型號(hào)： EC1019C
英文描述： InGaP HBT Gain Block
中文描述： InGaP HBT增益模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： EC1019C
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WJ Communications, Inc Phone 1-800-WJ1-4401 FAX: 408-577-6621 e-mail: sales@wj.com Web site: www.wj.com
Page 2 of 4 April 2007
EC1019C
InGaP HBT Gain Block
Typical Device RF Performance
Supply Bias = +6 V, Rbias = 15
, Icc = 70 mA
Frequency
MHz
100
500
900
1900
2140
2400
3500
5800
S21
dB
21.0
20.5
19.7
17.2
16.7
16.2
13.8
10.7
S11
dB
-32.0
-26.9
-25.5
-19.9
-15.4
-12.7
-12.0
-9.9
S22
dB
-23
-24.4
-17.2
-11.3
-12.2
-13.8
-12.2
-11.3
Output P1dB
dBm
+19.4
+19.5
+19.0
+18.8
+16.2
Output IP3
dBm
+33
+33.2
+33.6
+31
+30.7
Noise Figure
dB
3.3
2.9
3.0
3.1
1. Test conditions: T = 25 C, Supply Voltage = +6 V, Device Voltage = 4.7 V, Rbias = 16.5 , Icc = 70 mA typical, 50 System.
2. 3OIP measured with two tones at an output power of +4 dBm/tone separated by 1 MHz. The suppression on the largest IM3 product is used to calculate the 3OIP using a 2:1 rule.
3. Data is shown as device performance only. Actual implementation for the desired frequency band will be determined by external components shown in the application circuit.
S21vs.Frequency
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
Frequency(GHz)
S21
(dB)
+25°C
S11, S22vs. Frequency
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
1
2
3
4
5
6
Frequency(GHz)
S11,S22
(dB)
S22
S11
Icc vs. Vde
0
40
80
120
160
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6 5.8 6.0
Vde (V)
Icc
(mA)
25°C
OIP3 vs. Frequency
20
25
30
35
40
500
1000
1500
2000
2500
3000
Frequency(MHz)
OIP3
(dBm)
25°C
85°C
-40°C
NoiseFigurevs. Frequency
0
1
2
3
4
5
0
500
1000
1500
2000
2500
Frequency(MHz)
NF
(dB)
NF
P1dBvs. Frequency
12
16
20
24
500
1000
1500
2000
2500
3000
Frequency(MHz)
P1dB
(dBm)
25°C
85°C
-40°C
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PDF描述
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EC101S 制造商:Allegro MicroSystems LLC 功能描述:
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