分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIZ910DT-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIZ910DT-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 0 3,000:$0.86400
6,000:$0.83200
15,000:$0.80000
30,000:$0.78400
75,000:$0.76800
SIZ910DT-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.8 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 15V
功率 - 最大: 48W，100W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerWDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PowerPair?
包裝: 帶卷 (TR)