| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 2,678 | 1:$1.33000 25:$1.05320 100:$0.94770 250:$0.82484 500:$0.73710 1,000:$0.57915 |
| SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.49140 5,000:$0.46683 12,500:$0.44752 25,000:$0.43524 62,500:$0.42120 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫歐 @ 8A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 950pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 2.9W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |