分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHKD3NQ10T,518品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PHKD3NQ10T,518 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PHKD3NQ10T,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
0 |
10,000:$0.54272
|
PHKD3NQ10T,518 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
3A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
90 毫歐 @ 1.5A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 1mA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
21nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
633pF @ 20V
|
| 功率 - 最大: |
2W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SO
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|