分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 2N7002DW L6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
2N7002DW L6327 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| 2N7002DW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363 |
0 |
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| BSD223P L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 |
0 |
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| BSD840N L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 |
0 |
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| BSO211P H |
Infineon Technologies |
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO |
0 |
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| BSD223P H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 |
0 |
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2N7002DW L6327 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
300mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3 歐姆 @ 500mA，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
0.6nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
20pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
500mW
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT363-6
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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