分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ067N06LS3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ067N06LS3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ067N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 14,359 1:$1.35000
10:$1.20700
25:$1.06520
100:$0.95850
250:$0.83424
500:$0.74550
1,000:$0.58575
2,500:$0.55025
BSZ067N06LS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.7 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 30V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝: Digi-Reel®
電子產(chǎn)品資料
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