分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI8800EDB-T2-E1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI8800EDB-T2-E1 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 12,000 3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SI8800EDB-T2-E1 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: -
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 1A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 500mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-XFBGA，CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 4-Microfoot
包裝: 帶卷 (TR)