元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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BSC22DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON | 5,000 | 5,000:$0.55567 10,000:$0.53270 25,000:$0.51807 50,000:$0.50136 |
BSZ22DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON | 7,344 | 1:$1.59000 10:$1.42100 25:$1.25360 100:$1.12810 250:$0.98184 500:$0.87738 1,000:$0.68937 2,500:$0.64759 |
類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 225 毫歐 @ 3.5A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 13µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 430pF @ 100V |
功率 - 最大: | 34W |
安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TDSON-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |