分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHB191NQ06LT,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PHB191NQ06LT,118 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PHB191NQ06LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 800 800:$2.10000
1,600:$1.96000
2,400:$1.86200
5,600:$1.79200
20,000:$1.73600
40,000:$1.68000
PSMN2R8-80BS,118 NXP Semiconductors MOSF N CH 80V 120A D2PAK 0 800:$1.62000
1,600:$1.51200
2,400:$1.43640
5,600:$1.38240
20,000:$1.33920
40,000:$1.29600
PHB191NQ06LT,118 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 毫歐 @ 25A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7665pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)