| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V D-S 1212-8 | 0 | 3,000:$0.56700 6,000:$0.53865 15,000:$0.51638 30,000:$0.50220 75,000:$0.48600 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 30A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 23.5 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 802pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 52W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |