分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHD3N50D-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHD3N50D-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK 50 1:$1.02000
25:$0.80200
100:$0.72170
250:$0.62816
500:$0.56134
1,000:$0.44105
SIHD3N50D-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252AA
包裝: 剪切帶 (CT)