| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHD3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK | 0 | 3,000:$0.37422 6,000:$0.35551 15,000:$0.34081 30,000:$0.33145 75,000:$0.32076 |
| SI4628DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH SCHOTTKY 30V 8SOIC | 170 | 1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 175pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | TO-252AA |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |