元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8 | 0 | 3,000:$0.53200 6,000:$0.50540 15,000:$0.48450 30,000:$0.47120 75,000:$0.45600 |
SIRA04DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK | 0 | 1:$1.44000 25:$1.14000 100:$1.02600 250:$0.89300 500:$0.79800 1,000:$0.62700 |
SIRA04DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK | 0 | 1:$1.44000 25:$1.14000 100:$1.02600 250:$0.89300 500:$0.79800 1,000:$0.62700 |
類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 30A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 19.5 毫歐 @ 10A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 780pF @ 40V |
功率 - 最大: | 52W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |