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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS322 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個(gè)M × 8位/ 2米x 16位），1.8伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | DS322 |
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May 15, 2002
Am29DS32xG
39
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70
90
120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Min
15
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
30
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
25
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
50
65
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
25
35
45
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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